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比如，莊黎偉在目前全球科技領域最為高端的原級別精密制造領域——晶圓加工，人類操控著極紫外線（EUV）光刻機，刮大白使用波長為13.5納米的莊黎偉光，在芯片上刻畫圖案。原級別迄今為止，刮大白全球只有一家叫作ASML的莊黎偉荷蘭公司，能夠生產這種EUV光刻機。原級別

1納米（nm）=0.000 000 001米，刮大白而原子直徑為0.1納米。莊黎偉如果原子級制造能夠達成，原級別加拿大28大小算法公式图芯片制造的設備、良率，還會是困擾產業界的難題嗎？產學界從未停止在EUV技術之外的新突破。

2025年9月，華東理工大學化工學院副教授莊黎偉帶領研究團隊，聯合約翰霍普金斯大學（Johns Hopkins University）等高校和機構，采用實驗加仿真的方法，開發了化學液相沉積（CLD）制備先進光刻膠的新型工藝。

不同于依賴試錯、難以控制的傳統aZIF薄膜沉積方法，上述研究將薄膜的厚度精準控制在幾納米到幾百納米之間，并且有效地把控沉積速率。為了驗證薄膜應用的可行性，團隊采用短波輻射完成了6.5–6.7納米波長的B-EUV測試。

相對于CLD的液相沉積模式，原子層沉積（ALD）是一種化學氣相沉積方法，也是莊黎偉團隊的主要研究方向。作為原子級制造的核心技術之一，ALD通過將物質以單原子層的形式一層一層地沉積在基底表面，實現原子級別的精確控制?，可應用于集成電路、能源、航空航天等領域。

“作為一種先進的鍍膜技術，ALD類似‘刮大白’?！鼻f黎偉向南方周末解釋道，只不過“刮大白”是在墻上涂抹裝修材料，ALD則是在半導體等器件表面涂覆一層精密的“薄膜油漆”，例如氧化硅、氧化鋁、氧化鋅、氮化硅等。

莊黎偉?華東理工大學化工學院副教授

莊黎偉此前主要研究膜分離和化工反應器，2019-2020年在約翰霍普金斯大學留學期間，在合作導師邁克爾·薩帕希斯（Michael Tsapatsis）教授的建議下，轉向ALD、分子層沉積（MLD）等模型/模擬方法的研究和工藝裝備的開發。

2020年回國后，他繼續在相關領域探索，領銜成立了“計算傳遞與原子級制造研究室”，聚焦以ALD為核心的薄膜沉積工藝/裝備的多尺度模型和模擬研究。團隊搭建了ALD工藝與裝備仿真平臺，可以開展液態/固態前驅體材料評估、薄膜沉積工藝開發與各類裝備的設計優化。

與此同時，莊黎偉團隊與美國約翰霍普金斯大學、紐約州立大學石溪分校等研究團隊在薄膜沉積領域保持著“中方仿真，美方實驗”的合作模式，并聯合多家海外機構開展ALD/MLD/CLD等各類薄膜沉積工藝的理論與應用研究。

莊黎偉希望，在未來，ALD仿真平臺可以具備精準預測沉積薄膜的微觀結構、電子特性和機械性能等功能。